臺達UPS電源GES-EH15K塔式15KVA詳細簡介

　　臺達GES-EH15K 高頻穩(wěn)壓UPS電源 15KVA 12KW 在線式不連續(xù)電源

　　品牌:Delta/臺達，型號:EH15K

　　技術(shù)參數(shù)

　　控制方式：微處置控制技術(shù)

　　輸入電壓：單相220V±15%，50HZ 三相380V±15%，50HZ

　　額定容量：單相10A~450A（2.2KVA~100KVA）

　　三相3×10A~3×760A(6.6KVA~5.5KVA)

　　節(jié)能效果:工業(yè)企業(yè)8%~15%，商業(yè)企業(yè)10%~20%，中文顯現(xiàn)界面,可編輯各種運轉(zhuǎn)參數(shù)

　　波形畸變:無

　　旁路切換:有手動或自動旁路切換不時流

　　絕緣電阻:10MΩ

　　絕緣耐壓：3000V AC 60秒無閃路

　　工作環(huán)境：溫度-20~+40°C，溫度≤93%，無腐蝕合體及導(dǎo)電粉塵

　　電磁兼容性：結(jié)導(dǎo)騷擾：

　　輻射騷擾：契合IEC61000國際規(guī)范

　　維護功用：欠壓、過載、缺相、防雷維護等

　　可提供規(guī)范RS232/485規(guī)范接口，便當與計算機銜接，為功用效率管理提供技術(shù)平臺。

　　當勵磁電流為-im（t3）時，關(guān)斷M2.由于鉗位電容Cr和結(jié)電容C1的存在，兩端電壓不能突變，因而M2零電壓關(guān)斷。開關(guān)模態(tài)6M2關(guān)斷后，勵磁電流流過C1，C1開端放電，勵磁電流繼續(xù)反向增加。開關(guān)模態(tài)7結(jié)電容C1電壓有繼續(xù)降落的趨向，原邊電壓為正，副邊繞組電壓也變?yōu)檎?，M3開通，M4繼續(xù)導(dǎo)通。由于原邊電流太小，不能提供負載電流。因而同步整流管同時導(dǎo)通，副邊電壓鉗位至零，原邊電壓也為零，變壓器的勵磁電流堅持不變。t7時辰，開端下一個周期。

　　變換器中集成磁件的推導(dǎo)與剖析依據(jù)變換器的工作原理可知，變壓器的原邊繞組電壓Vab，副邊繞組電壓Vcd和繞組電壓Vce的脈寬相同、一直同向，只是電壓比值隨輸入電壓而變化

　　性能特性：

　　●自主專利的MMBM電池管理技術(shù)

　　自主產(chǎn)權(quán)的智能化多形式電池管理系統(tǒng)，綜合了傳統(tǒng)恒壓充電、恒流充電、二階段充電等充電方式的優(yōu)點，采用微處置器控制技術(shù)對電池停止多形式管理，進步UPS電源的充電效能，延長電池的運用壽命。

　　完善的電池管理功用

　　·無風(fēng)險雙形式電池在線測試功用

　　·充電電壓溫度補償功用

　　·電池放電終止電壓智能調(diào)理功用

　　·電池極性反接維護和告警

　　·電池定期自動放電激活

　　·自動設(shè)定充電電流功用

　　·重要操作密碼鎖定

　　集成磁件的磁路剖析令51，52，53所經(jīng)過磁路的磁阻分別為R1，R2，R3，依據(jù)文獻<3>和<5>樹立磁件等效電路的辦法對所示的磁件停止推導(dǎo)。在磁件等效電路中，該電路可用于磁件的仿真研討。磁件的等效電路推導(dǎo)如所示。集成磁件繞組排列基于制造工藝復(fù)雜水平的緣由，薄膜集成磁件的變壓器繞組構(gòu)造采用基于普通變壓器的繞組構(gòu)造<7-10>.同樣，繞組也采用PCB<6>，PCB的繞組構(gòu)造如示。

　　該集成磁件是一個3繞組的磁件，其中變壓器原邊、副邊和電感的匝數(shù)比為NPBNSBNL.為了降低PCB繞組制造工藝的難度，原邊繞組和副邊繞組設(shè)計為各4層，電感繞組設(shè)計為8層，變壓器原、副邊繞組每層均有2匝扁平狀銅箔線圈，如（a）、（b）所示；電感繞組每層均有1匝扁平狀銅箔線圈如（c）所示。

　　1.死心為硅鋼片條料卷制而成的無接縫不分級的接近純圓形截面。鐵軛，死心柱聯(lián)合為圓角，死心為封鎖形。

　　2.高、低壓線圈直接繞在死心上，兩線圈同心度好，抗短路性才能好。

　　3.由于死心構(gòu)造特殊，又呈由晶態(tài)取向優(yōu)質(zhì)冷軋硅鋼片卷制經(jīng)退火而成，使S11-M.R變壓器與同容量S9型相比空載損耗降落30%,空載電流降落70%,嘈聲降落8分貝左右。

　　4.取消儲油柜。采用波紋板油箱，溫度惹起的油體積變化由波紋片的彈性調(diào)理使變壓器油與空氣隔絕延長運用奉命。

　　5.采用波紋油箱溫升占空中積小，外形美觀。

　　6.死心加工全部機械化,減輕勞動強度,使產(chǎn)質(zhì)量量進步,質(zhì)量穩(wěn)定。

　　這樣設(shè)計能夠使制造薄膜磁件時填充絕緣層變得相對容易，也有利于磁件在工作中所受應(yīng)力的左右均衡，使磁件構(gòu)造相對穩(wěn)定。原邊繞組的4層互相之間串聯(lián)，共8匝；副邊繞組的4層中每個構(gòu)造相同的2層互相并聯(lián)，然后串聯(lián)，構(gòu)成2匝的副邊繞組；電感繞組的8層中每個構(gòu)造相同的4層互相并聯(lián)，然后串聯(lián)，構(gòu)成2匝的電感繞組。繞組之間經(jīng)過/通孔0和/過孔0互相聯(lián)合。這樣就得到了變比為8B2B2的3繞組集成磁件。按照上述設(shè)計過程，就能夠得到滿足請求的集成磁件繞組排列構(gòu)造，如所示。

　　但是，原先的等效模型以及參數(shù)的設(shè)計，都是按照EI型3柱磁芯來設(shè)計的，當磁芯變成4柱磁芯以后，為了使原先的推導(dǎo)和計算過程依然有效，必需保證磁件在等效變換前后滿足一定條件。由于本集成磁件的磁芯采用磁導(dǎo)率十分大的新型磁性資料，所以，各個磁路磁阻主要由氣隙大小決議，磁性資料自身磁阻遠遠小于氣隙磁阻，所以，疏忽集成磁件磁芯的等效變換過程磁性資料自身的磁阻。（a）所示為原集成磁件的等效磁路，其中2號磁柱上沒有繞組，其磁阻為R2；現(xiàn)將磁阻R2變?yōu)?個磁阻R21和R22并聯(lián)，從而將2號磁柱等效為2個磁柱并聯(lián)，如（b）所示；在（b）根底上將磁阻R21和R22所在的磁柱挪動到磁件兩側(cè)，等效磁路如（c）所示。

　　由以上剖析可知，在保證R2=R21//R22前提下，各繞組的勵磁和耦合關(guān)系不會發(fā)作變化，在變換前后磁芯的作用是等效的，從而按照EI型三柱磁芯的參數(shù)的設(shè)計、公式推導(dǎo)和計算過程依然有效。由等效磁路（c）得出的四柱磁芯構(gòu)造如所示。