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該解決方案可以替代現(xiàn)有的FRAM，MRAM和BBSRAM的方案，其具有SRAM高速讀寫，可無限次擦寫的優(yōu)點，同時斷電后，也可將數(shù)據(jù)長期保留；適合既需要高速或高頻次反復存儲數(shù)據(jù)，同時又需要在斷電后能將數(shù)據(jù)保留的應用場景設備。
也可用于快速配置系統(tǒng)，利于系統(tǒng)快速啟動和快速恢復;性能遠優(yōu)于FRAM，MRAM和BBSRAM，可取代現(xiàn)有的FRAM，MRAM，BBSRAM等多種NVRAM，提供更好的性能，相對同類型NVSRAM的競爭者，在速度和功耗上均有較大優(yōu)勢，等多種重要應用提供數(shù)據(jù)保障！