portant; margin-bottom: 20px !important; width: auto !important; line-height: 2em !important;">環(huán)境試驗目的：考核在不施加電應力的情況下，高溫存儲對產(chǎn)品的影響。有嚴重缺陷的產(chǎn)品處于非平衡態(tài)，是一種不穩(wěn)定態(tài)，由非平衡態(tài)向平衡態(tài)的過渡過程既是誘發(fā)有嚴重缺陷產(chǎn)品失效的過程，也是促使產(chǎn)品從非穩(wěn)定態(tài)向穩(wěn)定態(tài)的過渡過程。

portant; margin-bottom: 20px !important; width: auto !important; line-height: 2em !important;">這種過渡一般情況下是物理化學變化，其速率遵循阿倫尼烏斯公式，隨溫度成指數(shù)增加.高溫應力的目的是為了縮短這種變化的時間，所以該實驗又可以視為一項穩(wěn)定產(chǎn)品性能的工藝。portant; margin-right: 0px !important; margin-left: 0px !important; width: auto !important;">

portant; margin-bottom: 20px !important; width: auto !important; line-height: 2em !important;">環(huán)境試驗條件：一般選定一恒定的溫度應力和保持時間。微電路溫度應力范圍為75℃至400℃，試驗時間為24h以上。試驗前后被試樣品要在標準試驗環(huán)境中，既溫度為25土10℃、氣壓為86kPa~100kPa的環(huán)境中放置一定時間。多數(shù)的情況下，要求試驗后在規(guī)定的時間內(nèi)完成終點測試。