XPS測試原理是什么？

   XPS測試原理就是藉由光電效應，當X光照射至樣品內(nèi)部時，原子內(nèi)層的電子將被激發(fā)產(chǎn)生光電子，而只有靠近材料表面的光電子才能逃離被儀器測得。藉由分析此光電子，可得知表面元素組成種類，進而判斷化學鏈結(jié)。

 XPS測試應用領(lǐng)域有哪些？

1．表面污染/變色之成份分析(Surface Survey) : 樣品表面100A以內(nèi)的成份分析。

2．表面化學組態(tài)分析 (Narrow Scan) : 樣品表面100A以內(nèi)的元素化學組態(tài)鍵結(jié)分析。

3．樣品氧化狀況(氧化層厚度及氧化態(tài))分析。

4．多層薄膜縱深分析 (Depth Profile) : 藉由Ar 離子濺蝕樣品的表面，得到不同深度的元素信號之縱深分布。

5．圖譜分析(Mapping) : 分析樣品區(qū)域元素信號，得到區(qū)域元素分布影像圖。

6．線掃描(Line Scan): 分析樣品直線上的元素信號，得到直線元素分布圖。

7．針對樣品表面更細微的結(jié)構(gòu)進行化學態(tài)分析(Chemical State Analysis)、縱深分析(Depth Profile)，滿足科研、教學、企業(yè)內(nèi)部質(zhì)量控制、企業(yè)產(chǎn)品研發(fā)等目的。

8．

XPS設(shè)備技術(shù)參數(shù)及測試能力？
1、X射線源：單色化Al Kα射線源，可實現(xiàn)樣品表面聚焦及掃描（10μm~1400μ×1400μm）；
2、測試：可實現(xiàn)低工作功率（1~100W）、小角度（分辨率≤±1°）、溫度可調(diào)控（-120℃~500℃）原位測試；
3、Ar離子槍+Ar團簇離子槍：滿足金屬、陶瓷、有機聚合物、復合材料、半導體材料及器件等樣品表面刻蝕、深度剖析；
4、紫外光源UPS：價帶、功函數(shù)測試（標樣優(yōu)于120 meV）；
5、雙束中和系統(tǒng)：獨立調(diào)節(jié)電子束（低至1~2eV）和離子束，高質(zhì)量獲譜（PET中O=C-O中C1s  FWHM ≤ 0.85eV）；
6、Al/Mg雙陽極可滿足準確的峰位信息辨別需求；
7、多路氣體、高低溫（-196℃~800℃）準原位化學反應。

XPS測試注意事項有哪些？

1、放射性、具有磁性的樣品、在X光照射下會分解的樣品，不能進行測試； 2、樣品尺寸：厚度小于5mm；長寬在10mm X10mm以內(nèi)；需刻蝕和深剖的樣品**是塊體 3、樣品用量：粉末樣品原則上越細越好，5mg左右即可；對于塊狀（不規(guī)則形狀時）樣品，需要送樣人將樣品加工成片狀，上下兩面**互為平行面。 4、樣品需提前干燥，保護測試面，避免測試面被污染。 5、送樣時請注明姓名，聯(lián)系，樣品個數(shù)以及測試要求等。

 XPS測試現(xiàn)場預約請致電：

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