單價: | 800.00元/個 |
發(fā)貨期限: | 自買家付款之日起 天內(nèi)發(fā)貨 |
所在地: | 直轄市 上海 |
有效期至: | 長期有效 |
發(fā)布時間: | 2023-12-05 01:16 |
最后更新: | 2023-12-05 01:16 |
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專業(yè)回收Hisilicon芯片 閑置電子料高價回收
回收--回收庫存電子物料,是一家電子物料終端回收商,主要回收集成電路IC、鉭電容、連接器、MOS管、晶振、二三極管、濾波器、雙工器、繼電器、傳感器、IG、橋堆、電容電阻、服務(wù)器CPU、硬盤及SSD、DDR顆粒、flash、閃存芯片、內(nèi)存芯片、內(nèi)存卡【TF卡,SD卡,CF卡】、U盤、手機配件、平板配件、數(shù)碼產(chǎn)品配件等電子工廠、IC經(jīng)銷商建立了良好的合作關(guān)系,獲得了諸多客戶的信譽與支持。業(yè)務(wù)范圍覆蓋深圳、東莞、廣州、惠州、珠海、中山、佛山、江門、肇慶等珠三角地區(qū),上海、江蘇、浙江等長三角地區(qū),華北地區(qū)的北京、天津,華東地區(qū)的江西、山東,華中地區(qū)的河南鄭州、湖南長沙,西南地區(qū)的重慶、四川,西北地區(qū)的陜西西安,以及香港特別行政區(qū)。
回收手機配件:回收手機主板、手機PCBA、手機屏、手機觸摸、手機TP、手機攝像頭、手機電池、手機數(shù)據(jù)線、手機充電器、手機殼、手機按鍵、手機排線......
回收平板配件:回收平板主板、平板液晶、平板觸摸、平板TP、平板攝像頭、平板電池、平板數(shù)據(jù)線、平板充電器......
銷售--銷售進口原裝IC,是一家專業(yè)的IC集成電路經(jīng)銷商,長期備有大量現(xiàn)貨庫存,保證所有從本公司銷售出去的貨物品質(zhì),承諾只售原裝貨。本公司供應(yīng)各類品牌IC及其它偏門、停產(chǎn)、緊缺的IC,專業(yè)提供單片機、SDRAM、EPROM等各類存儲器,各品牌TF卡、SD卡、CF卡,保證貨源充足、價格優(yōu)廉、交貨快捷、原裝品質(zhì),竭誠為廣大終端客戶及經(jīng)銷商提供周到服務(wù)。并長期提供工廠配單,電子元件配套服務(wù)……
服務(wù)宗旨:以價優(yōu)為基礎(chǔ),以公平求生存,以信譽作保證!
精神:學(xué)習(xí)、協(xié)作、競爭、創(chuàng)新
? 學(xué)習(xí)是每個科發(fā)員工的要務(wù)。我們將通過打造學(xué)習(xí)型企業(yè),使管理、服務(wù)理念始終居于時代前列。
? 協(xié)作是企業(yè)運作必不可少的重要條件??瓢l(fā)將致力于持續(xù)改進流程,弘揚協(xié)作精神,建設(shè)一個堅不可催的團隊。
? 競爭是企業(yè)永遠(yuǎn)向前的不竭動力。我們將不斷完善內(nèi)部競爭機制,積極參與市場競爭,變壓力為動力,推動公司不斷發(fā)展。
? 創(chuàng)新是企業(yè)核心競爭力的主要途徑。回收將通過管理創(chuàng)新、行業(yè)創(chuàng)新、營銷創(chuàng)新、渠道創(chuàng)新,成就百年基業(yè)。
專業(yè)回收Hisilicon芯片 閑置電子料高價回收
不同的串行通信的傳輸速率差別極大,有的只有數(shù)百bps,有的可達(dá)100Mbps。單工通信與雙工通信串行通信按信息在設(shè)備間的傳送方向又分為單工、雙工兩種方式。單工通信方式只能沿單一方向發(fā)送或接收數(shù)據(jù)。雙工通信方式的信息可沿兩個方向傳送,每一個站既可以發(fā)送數(shù)據(jù),也可以接收數(shù)據(jù)。雙工方式又分為全雙工和半雙工兩種方式。數(shù)據(jù)的發(fā)送和接收分別由兩根或兩組不同的數(shù)據(jù)線傳送,通信的雙方都能在同一時刻接收和發(fā)送信息,這種傳送方式稱為全雙工方式;用同一根線或同一組線接收和發(fā)送數(shù)據(jù),通信的雙方在同一時刻只能發(fā)送數(shù)據(jù)或接收數(shù)據(jù),這種傳送方式稱為半雙工方式。
場效應(yīng)管通常分為兩類:JFET和MOSFET。這兩類場效應(yīng)管都是壓控型的器件。場效應(yīng)管有三個電極,分別為:柵極漏極D和源極S。目前MOSFET應(yīng)用廣泛,JFET相對較少。MOSFET可以分為NMOS和PMOS,下圖是PMOS的結(jié)構(gòu)圖、NMOS和MOSFET的電路符號圖。PMOS的結(jié)構(gòu)是這樣的:在N型硅襯底上做了兩個P型半導(dǎo)體的P+區(qū),這兩個區(qū)分別叫做源極S和漏極D,在N型半導(dǎo)體的絕緣層上引出柵極G。