portant;">電子元器件失效分析項目

　　電測：連接性測試、電參數(shù)測試、功能測試等;

　　無損檢測：射線檢測技術(shù)( X 射線、γ 射線、中子射線等)，工業(yè)CT,康普頓背散射成像(CST)技術(shù)，超聲檢測技術(shù)(穿透法、脈沖反射法、串列法)，紅外熱波檢測技術(shù)，聲發(fā)射檢測技術(shù)，渦流檢測技術(shù)，微波檢測技術(shù)，激光全息檢驗法等

　　顯微形貌分析：光學顯微分析技術(shù)、掃描電子顯微鏡二次電子像技術(shù)等

　　表面元素分析：掃描電鏡及能譜分析(SEM/EDS)、俄歇電子能譜分析(AES)、X射線光電子能譜分析(XPS)、二次離子質(zhì)譜分析(SIMS)等

　　無損分析技術(shù)：X射線透視技術(shù)、三維透視技術(shù)、反射式掃描聲學顯微技術(shù)(C-SAM)等

portant;">電子元器件失效分析標準

　　CEI EN 61709-2012 IEC 61709：1996電子元器件 可靠性 失效率的標準條件和轉(zhuǎn)換的應(yīng)力模型

　　DIN EN 61709-1999 電子元器件.可靠性.失效率和轉(zhuǎn)變應(yīng)力模式的參考條件

　　GB/T 2689.1-1981 恒定應(yīng)力壽命試驗和加速壽命試驗方法總則

　　GB/T 7289-2017 電學元器件 可靠性 失效率的基準條件和失效率轉(zhuǎn)換的應(yīng)力模型

　　GB/T 21711.7-2018 基礎(chǔ)機電繼電器 第7部分：試驗和測量程序

　　QJ 1317A-2005 電子元器件失效分類及代碼

　　QJ 2663-1994 航天電子元器件失效數(shù)據(jù)采集卡及填寫規(guī)定

　　T/CIE 115-2021 電子元器件失效機理、模式及影響分析(FMMEA)通用方法和程序